選購內存條時，除了容量，頻率和時序是最常被提及的參數。頻率以MT/s(每秒百萬次傳輸)為單位，代表內存每秒鐘能傳輸數據的次數。例如DDR5-5600表示每秒可進行5600百萬次數據傳輸。頻率越高，內存帶寬越大，單位時間內處理的數據量越多。

時序則是另一個容易被忽略的關鍵指標。時序通常以一組數字呈現，如CL40-40-40-77，其中CL(CAS延遲)是最重要的數值——它代表從內存控制器發出讀取命令到數據真正開始輸出所需的時鐘周期數。CL值越低，延遲越小，內存響應速度越快。但時序與頻率往往相互制約：高頻率通常伴隨著更高的CL值。

工作電壓也是影響內存性能的重要參數。DDR3標準電壓為1.5V，DDR4降至1.2V，DDR5進一步降至1.1V。更低的電壓意味著更低的功耗和發熱，為高頻運行提供了空間。高端超頻內存條往往需要略高于標準的電壓來換取更高的頻率穩定性。

主板上的內存插槽標識和顆粒位置同樣值得關注。對于雙通道配置，應將內存條插入主板指定的插槽(通常為A2和B2)以實現最佳性能。錯誤的插法可能導致內存運行在單通道模式，帶寬減半。物理安裝時需對準防呆缺口，避免反插損壞硬件。