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創(chuàng)見寬溫microSD卡USD460T & USD460I

創(chuàng)見microSDXC 460T閃存卡搭載高質(zhì)量3D堆疊閃存，打造優(yōu)異的連續(xù)寫入速度，并具備3K次抹寫周期，提供相當于MLC顆粒的耐用度，展現(xiàn)更高穩(wěn)定性和使用壽命。適用于寫入密集型的醫(yī)療器材、監(jiān)視系統(tǒng)與POS終端機。創(chuàng)見也推出具備寬溫特性的microSDXC 460I閃存卡，可于-40℃到85℃下穩(wěn)定運作，以確保工業(yè)機臺于任務(wù)密集型應(yīng)用中實現(xiàn)卓越的運作效能。

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外觀
尺寸	11 mm x 15 mm x 1 mm (0.43" x 0.59" x 0.04")
外觀尺寸	microSD記憶卡
存儲
Flash類型	112層3D閃存
容量	64 GB/ 128 GB/ 256 GB/ 512 GB
操作環(huán)境
工作電壓	2.7V ~ 3.6V
落摔測試	1.5m自由落摔
工作溫度	標準 -25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F) 寬溫 -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
儲存溫度	-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
濕度	0% ~ 95%
耐沖擊	加速度：490 m/s2 (標準保持時間：11 ms、半正弦波、速度變化：3.44 m/s)
耐振動 (操作中)	20 G (peak-to-peak), 20 Hz ~ 2,000 Hz (frequency)
電量
耗電量 (最大)	0.5 瓦
效能
讀取速度 (最大)	高達 100 MB/s
寫入速度 (最大)	高達 80 MB/s
寫入兆位元組(TBW)	高達 1343 TBW
備注	傳輸速度會因您的系統(tǒng)效能（硬件、軟件、使用方式、產(chǎn)品容量）而有所不同。寫入兆位元組（TBW)數(shù)值以該系列產(chǎn)品最高容量為主。